Samsung готується до початку серійного виробництва 36-гігабайтних мікросхем HBM3E

Високий попит на прискорювачі обчислень для систем штучного інтелекту також впливає на доходи виробників багатошарової пам'яті HBM (High Bandwidth Memory).

Зараз чипмейкери вкладають чимало ресурсів у вдосконалення цього виду пам'яті, анонсуючи місткіші та швидші мікросхеми.

Зокрема, Samsung Electronics завершила розробку 12-шарового стека HBM3E місткістю 36 Гбайт та вже розпочала постачання зразків своїм партнерам.

Для нових мікросхем Samsung HBM3E заявлено пропускну 1,28 Тбайт/с.

Це в півтора раза більше за показник актуальних 8-шарових стеків місткістю 24 ГБ.

Разом з цим південнокорейському гіганту вдалося зберегти висоту нових мікросхем HBM3E на колишньому рівні завдяки ряду фірмових технологій, на кшталт методу з використанням термокомпресійної діелектричної плівки (TC-NCF).

Старт масового виробництва 36-гігабайтних мікросхем Samsung HBM3E заплановано на першу половину цього року.