Для первых микросхем Samsung GDDR7 заявлена скорость 28 и 32 Гбит/с

Samsung Electronics готовится к старту массового производства видеопамяти GDDR7.

Ожидается, что этот тип ОЗУ будет использоваться в следующем поколении 3D-ускорителей от AMD и Nvidia.

Для них южнокорейский гигант подготовил два варианта 16-гигабитных (2 ГБ) микросхем, основные спецификации которых уже опубликованы на сайте Samsung.

Для первых чипов Samsung GDDR7 характерна скорость 28 и 32 Гбит/с на контакт.

Это значит, что при использовании 256-разрядной шины теоретическая пропускная способность видеобуфера составит 896 и 1024 Гбайт/с соответственно.

Для сравнения, у Ge.

Force RTX 4080 Super этот показатель равен 716,8 Гбайт/с.

Force RTX 50-й серии (архитектура Blackwell) будут использованы чипы GDDR7 со скоростью 28 Гбит/с.

Более скоростные микросхемы, вероятно, появятся в обновлённых моделях, вроде Super-линейки.

В настоящий момент Samsung поставляет образцы чипов GDDR7 своим партнёрам.

Серийное производство новых микросхем должно стартовать в течение этого года.