Samsung зазнає труднощів із запуском напівпровідникового заводу в Техасі

Найближчим часом ми побачимо запуск масового виробництва напівпровідників у США.

Компанія TSMC готується розпочати випуск чипів на першому заводі в Аризоні.

А Samsung Electronics веде підготовку до запуску виробництва на заводі Taylor в Техасі.

Але обидві компанії зіткнулися з проблемами, через які запуск явно буде відкладено.

Планувалося, що завод Samsung у Техасі вироблятиме чипи із застосуванням літографії нижче 4 нм, щоб відразу привернути увагу великих замовників.

Пізніше компанія вирішила спробувати запустити тут дослідне виробництво 2 нм.

Але Samsung відчуває серйозні проблеми з якістю виробництва навіть у рамках поточної технології Gate-All-Around (GAA) 3 нм.

Відсоток виходу придатних чипів за цією технологією близько 50%, тоді як TSMC домоглася ефективності свого техпроцесу 3 нм на рівні 60-70%.

Перехід на 2 нм пов'язаний зі ще більшими труднощами.

Схоже, результати дослідного виробництва настільки погані, що компанія відкликає персонал із заводу.

Інсайдер із напівпровідникової галузі вказує, що ефективність нового техпроцесу лише 10-20%.

Очевидно, таке виробництво не має економічної доцільності.

Відомо, що Samsung веде консультації з виробниками обладнання ASML і Zeiss.

Але практичних результатів з поліпшення виробництва поки що немає, тому Samsung відкликає всіх основних спеціалістів зі США.

Раніше Samsung підписала угоду з американським урядом у рамках Закону про чипи й науку (CHIPS) на отримання субсидій до $6,4 мільярда для підтримки виробництва в США.

Однією з попередніх умов є запуск функціонуючого виробництва, чого компанії поки що не вдалося досягти.

І подальші затримки можуть поставити під загрозу виділення субсидій.

При цьому у самої Samsung були великі плани відносно Техасу, де планувалося побудувати до трьох заводів для випуску чипів.

Business Korea.