Samsung начнет массовое производство DDR5 в следующем году

Samsung Electronics планирует наладить массовое производство оперативной памяти DDR5 и LPDDR5 с применением EUV-литографии в 2021 году.

Фабрика V1 в Хвасоне.

На данный момент речь идет об одном миллионе отгруженных микросхем, изготовленных по технологии D1x 10-нм класса.

Она представляет собой экспериментальный процесс ультрафиолетовой литографии, который использовался только для создания некоторых партий DDR4 DRAM.

По словам руководства компании, в дальнейшем технология D1x применяться не будет.

Вместо этого для производства DDR5 и LPDDR5 в следующем году Samsung будет использовать высокотехнологичный процесс D1a класса 14 нм с несколькими слоями EUV.

Ожидается, что D1a удвоит выход микросхем на каждую пластину (по количеству битовых ячеек DRAM) относительно технологии D1x.

К сожалению, Samsung официально не сообщает, сколько слоев EUV используется в процессах D1x и D1a, а также есть ли в них другие инновационные технологии.

Напомним, что в конце 2021 года AMD выпустит семейство серверных процессоров EPYC Genoa на базе архитектуры Zen 4.

По доступным сведениям, именно Genoa первыми в индустрии получат поддержку памяти DDR5.

Затем новшество расширится и на настольную платформу AMD с новым сокетом, отличным от AM4.