Qualcomm раскрыла все подробности Snapdragon 888 — техпроцесс 5-нм Samsung 5LPE, трехкластерный CPU с суперядром Cortex-X1 и встроенный модем 5G

Позавчера Qualcomm анонсировала флагманскую мобильную SoC Snapdragon 888, не вдаваясь в технические детали.

В рамках второго дня ежегодного техсаммита Snapdragon Tech Summit 2020 производитель, как и ожидалось, детально рассказал о технических характеристиках и особенностях кремниевого «сердца» грядущих флагманских смартфонов 2021 года, так что мы теперь знаем о новинке все.

Предварительные данные о трехкластерном CPU с одним высокопроизводительным ядром Cortex-X1 полностью подтвердились, как и то, что производством Snapdragon 888 занимается не TSMC, а Samsung — новое поколение топовой платформы Qualcomm производится по 5-нанометровому техпроцессу (5LPE).

Напомним, два предыдущих поколения — Snapdragon 855 и Snapdragon 865 — производились по 7-нанометровому техпроцессу на мощностях TSMC.

Еще одна важная особенность Snapdragon 888 — встроенный модем 5G.

То есть, на печатной плате и, следовательно, в корпусе устройства эта SoC будет занимать меньше места и потреблять меньше электроэнергии по сравнению с предыдущей схемой, когда модем устанавливался как отдельная микросхема.

В конфигурацию Snapdragon 888 входит восьмиядерный процессор с одним высокопроизводительным ядром Cortex-X1, работающим с частотой 2,84 ГГц, тремя ядрами среднего уровня Cortex-A78 с частотой 2,4 ГГц и четырьмя энергоэффективными ядрами Cortex-A55 с частотой 1,8 ГГц.

Сама Qualcomm называет все ядра собственным маркетинговым названием Kryo 680, но по факту это референсные ядра Cortex без каких-либо существенных модификаций.

Snapdragon 888 — первая мобильная SoC, в которой используются новейшие IP-ядра Cortex-X1 и Cortex-A78.

По оценкам Qualcomm, по производительности CPU Snapdragon 888 на 25% превосходит предшественника Snapdragon 865.

Новый GPU называется Adreno 660 и он на 35% быстрее в рендеринге, чем графическое ядро Adreno 650 в Snapdragon 865; отдельно производитель декларирует для новой графики сниженное на 20% энергопотребление и прирост быстродействия на 43% в задачах ИИ.

Также в конфигурацию Snapdragon 888 входит встроенный модем Qualcomm X60 третьего поколения, тройной процессор обработки изображений (ISP) Spectra 580, шестое поколение движка AI Engine с процессором Hexagon 780, отвечающего за ускорение обработки задач искусственного интеллекта.

Но обо всем этом мы упоминали в предварительном анонсе позавчера.

В состав SoC также входит модуль связи Fast.

Connect 6900, обеспечивающий поддержку Wi-Fi 6, включая расширение Wi-Fi 6E (диапазон 6 ГГц), Bluetooth 5.2, а также кодеки Qualcomm aptX Adaptive и Qualcomm aptX Voice.

Эта микросхема Wi-Fi поддерживает 4-потоковую (2×2 + 2×2) одновременную работу в двух диапазонах (DBS), что обеспечивает возможность агрегации каналов 6 ГГц 2×2 с 5 ГГц 2×2, благодаря чему достигается пиковая скорость 3,6 Гбит/с.

Сравнение характеристик Snapdragon 888, Snapdragon 865 и Snapdragon 855.

Qualcomm Snapdragon 855.

Qualcomm Snapdragon 865.

Qualcomm Snapdragon 888.

Дата анонса.

5 декабря 2018 года.

4 декабря 2014 года.

2 декабря 2020 года.

Техпроцесс нм.

7 нм (TSMC N7).

7 нм (TSMC N7P).

5 нм (Samsung 5LPE).

Kryo 485 (ARM Cortex A76) с частотой 2,84 ГГц, 512 КБ кэш-памяти L2.

Kryo 485 (ARM Cortex A76) с частотой 2,42 ГГц, 3×256 КБ кэш-памяти L2.

Kryo 385 (ARM Cortex A55) с частотой 1,8 ГГц, 4×128 КБ кэш-памяти L2.

2 МБ общей кэш-памяти L3.

Kryo 585 (ARM Cortex A77) с частотой 2,84 ГГц, 512 КБ кэш-памяти L2.

Kryo 585 (ARM Cortex A77) с частотой 2,4 ГГц, 3×256 КБ кэш-памяти L2.

Kryo 385 (ARM Cortex A55) с частотой 1,8 ГГц, 4×128 КБ кэш-памяти L2.

4 МБ общей кэш-памяти L3.

+25% производитетельности.

1x Kryo 680 (ARM Cortex X1) с частотой 2,84 ГГц, 1 МБ кэш-памяти L2.

Kryo 680 (ARM Cortex A78) с частотой 2,4 ГГц, 3×512 КБ кэш-памяти L2.

4x Kryo 680 (ARM Cortex A55) с частотой 1,8 ГГц, 4×128 КБ кэш-памяти L2.

4 МБ общей кэш-памяти L3.

+25% производитетельности.

Adreno 640 с частотой 600 МГц.

Vulkan 1.1.

Snapdragon Elite Gaming.

Adreno 650.

Vulkan 1.1.

Snapdragon Elite Gaming с поддержкой Desktop Forward Rendering, Game Color Plus, и возможностью обновления графического драйвера.

на 20% более высокая производительность.

на 35% меньше энергопотребление.

Adreno 660.

Vulkan 1.1.

Snapdragon Elite Gaming с поддержкой Qualcomm Game Quick Touch и Variable Rate Shading.

на 35% рендеринг графики.

на 20% сниженное энергопотребление.

на 43% быстрее обработка операций ИИ.

Встроенный экран: UHD.

Внешний экран: UHD.

Port через USB Type-C.

Встроенный экран: UHD с частотой 60 Гц или QHD+ с частотой 144 Гц.

Внешний экран: UHD с частотой 60 Гц.

Port через USB Type-C.

Встроенный экран: UHD с частотой 60 Гц или QHD+ с частотой 144 Гц.

Внешний экран: UHD с частотой 60 Гц.

Port через USB Type-C.

коррекция однородности пикселей и субпиксельный рендеринг OLED для точного и единообразного изображения.

Hexagon 690 с поддержкой Hexagon Vector e.

Xtensions и Hexagon Tensor Accelerator.

4-е поколение движка AI Engine.

Производительность 7 TOPS (триллион операций в секунду).

Hexagon 698 с поддержкой Hexagon Vector e.

Xtensions и Hexagon Tensor Accelerator.

5-е поколение движка AI Engine.

Qualcomm Sensing Hub.

Производительность 15 TOPS (триллион операций в секунду).

Hexagon 780 с поддержкой Fused AI Accelerator.

6-е поколение движка AI Engine.

2-е поколение Qualcomm Sensing Hub.

новый специализированный процессор ИИ.

снижение нагрузки на 80% за счет Hexagon DSP.

повышение быстродействия в 5 раз.

в 16 раз больше общей памяти.

на 50% быстрее скалярный ускоритель.

вдвое боле быстрый тензорный ускоритель.

Производительность 26 TOPS (триллион операций в секунду).

4×16-бит LPDDR4 (2133 МГц) объемом до 16 ГБ.

3 МБ системной кэш-памяти.

4×16-бит LPDDR4 (2133 МГц) объемом до 16 ГБ.

LPDDR5 (2750 МГц).

3 МБ системной кэш-памяти.

4×16-бит LPDDR4 с 2133 Мгц объемом до 16 ГБ.

LPDDR5 (3200 МГц).

3 МБ системной кэш-памяти.

14-разрядный двойной ISP Spectra 380.

Одна камера: до 48 Мп с поддержкой ZSL (Zero Shutting Lag).

Две камеры: до 22 Мп с поддержкой ZSL.

Съемка видео: 4K HDR при 60 fps; в режиме Slow motion до 720p при 480 fps; HDR10, HDR10+, HLG.

14-разрядный двойной ISP Spectra 480.

Одна камера: до 64 Мп с поддержкой ZSL.

Две камеры: до 22 Мп с поддержкой ZSL.

Съемка видео: 4K HDR при 60 fps + одновременный захват изображений разрешением 64 Мп; 4K при 120 fps; 8K при 30 fps; в режиме Slow motion до 720p при 960 fps (без ограничений по длительности); HDR10, HDR10+, HLG, Dolby Vision.

14-разрядный тройной ISP Spectra 580.

Одна камера: до 84 Мп с поддержкой ZSL.

Две камеры: до 64+25 Мп.

с поддержкой ZSL.

Съемка видео: 4K HDR при 60 fps + одновременный захват изображений разрешением 64 Мп; 4K при 120 fps; 8K при 30 fps; в режиме Slow motion до 720p при 960 fps (без ограничений по длительности); HDR10, HDR10+, HLG, Dolby Vision.

Разработан для сенсоров изображения HDR с поддержкой технологии пиксельного сдвига.

Поддержка 10-разрядного представления цвета при съемке в формате HEIF.

Новая архитектура для съемки при слабом освещении (захват фото при минимальном освещении 0.1 люкс).

Захват потока данных со скоростью 2,7 гигапикселя в секунду, что на 35% быстрее предшественника.

Встроенный Snapdragon X24 4G LTE.

скорость загрузки до 2,0 Гбит/с.

скорость отдачи до 316 Мбит/с.

Поддержка внешнего модема Snapdragon X50 5G.

скорость загрузки до 5,0 Гбит/с.

Режимы работы: NSA, TDD.

Wave: 800 МГц, 8X объединение несущих частот, 2×2 MIMO.

sub-6 GHz: 100 МГц, 4×4 MIMO.

Встроенный Snapdragon X55 4G LTE и внешний многорежимный 5G.

скорость загрузки до 7,5 Гбит/с (5G) и до 2,5 Гбит/с (4G LTE).

скорость отдачи до 3 Гбит/с и до 316 Мбит/с(4G LTE).

режимы работы: NSA, SA, TDD, FDD.

Wave: 800 МГц, 8X объединение несущих частот, 2×2 MIMO.

sub-6 GHz: 200 МГц, 4×4 MIMO.

Snapdragon X60 4G LTE и встроенный многорежимный модем 5G.

скорость загрузки до 7,5 Гбит/с.

скорость отдачи до 3 Гбит/с.

режимы работы: NSA, SA, TDD, FDD.

5G CA по FDD и TDD.

Wave: 800 МГц, 8X объединение несущих частот, 2×2 MIMO.

sub-6 GHz: 200 МГц, 4×4 MIMO.

Qualcomm Quick Charge 4+ (27 Вт).

Qualcomm Quick Charge 4+ (27 Вт).

Qualcomm Quick Charge AI.

Qualcomm Quick Charge 5 (100+ Вт).

Средства связи.

Позиционирование: Beidou, Galileo, GLONASS, GPS, QZSS, SBAS, Dual Frequency support.

Qualcomm Fast.

Connect 6200.

Wi-Fi: Wi-Fi 6; 2,4/5 ГГц; 20/40/80 МГц; DBS, TWT, WPA3, 8×8 MU-MIMO.

Bluetooth: версия 5.0, aptX TWS и aptX Adaptive.

Позиционирование: Beidou, Galileo, GLONASS, GPS, QZSS, SBAS, NavIC, Dual Frequency.

Qualcomm Fast.

Connect 6800.

Wi-Fi: Wi-Fi 6; 2,4/5 ГГц; 20/40/80 МГц; DBS, TWT, WPA3, 8×8 MU-MIMO, OFDMA, 1024QAM.

Bluetooth: версия 5.1, aptX TWS, aptX Adaptive, и aptX Voice.

Позиционирование: Beidou, Galileo, GLONASS, GPS, QZSS, SBAS, NavIC, Dual Frequency.

Qualcomm Fast.

Connect 6900.

Wi-Fi: Wi-Fi 6 и 6E; 2,4/5/6 ГГц; 20/40/80/160 МГц; 4-канала DBS, TWT, WPA3, 8×8 MU-MIMO, OFDMA, 4KQAM.

Bluetooth: версия 5.2, LE Audio, Qualcomm True.

Wireless Mirroring, aptX TWS, aptX Adaptive и aptX Voice.

Xiaomi подтвердила, что грядущий флагман Xiaomi Mi 11 станет одним из первых смартфонов в мире на SoC Snapdragon 888.

Полный список брендов, подтвердивших выпуск смартфонов на базе SoC Snapdragon 888:.

(Открывается в новом окне).