На мероприятии Intel Accelerated чипмейкер представил новую систему именований собственных техпроцессов.
Компания изменила название двух уже анонсированных узлов, а также раскрыла дорожную карту продуктов на 2023–2024 годы.
10-нм техпроцесс Enhanced Super.
Fin был переименован в Intel 7.
Компания сообщила, что этот узел сейчас находится в серийном производстве и его производительность на ватт на 10–15% выше по сравнению с обычным 10-нм Super.
Intel 7 будет использоваться для выпуска настольных и мобильных чипов Alder Lake, а также серверных Sapphire Rapids.
В этом месте нелишним будет сделать ремарку.
С точки зрения плотности транзисторов 10-нм технология Super.
Fin примерно эквивалентна 7-нм техпроцессам TSMC и Samsung.
Поэтому чисто маркетинговый ход переименования Enhanced Super.
Fin 10nm в Intel 7 имеет под собой все основания.
Тем более, «бумажные нанометры» в электронной промышленности уже многие годы не отражают реальных размеров полупроводниковых компонентов.
Intel 4 — это то, что ранее называлось 7-нм техпроцессом Intel.
Чипмейкер обещает прирост производительности на ватт на 20% по сравнению с Intel 7.
Этот узел будет использовать EUV-литографию.
Первыми продуктами на основе Intel 4 являются чипы Meteor Lake и Granite Rapids.
Во второй половине 2023 года Intel анонсирует узел Intel 3.
Данная технология обеспечит 18%-ный прирост производительности на ватт и будет иметь более высокую плотность и увеличенное количество слоев EUV.
Наконец, Intel 20A представит новую архитектуру транзисторов, известную как RibbonFET, и инновацию в области межкремниевых соединений Power.
Что интересно, Intel 20A будет исчисляться в ангстремах (1 Å = 0,1 нм = 100 пм) и грубо говоря соответсвовать 2 нм.
Intel не рассказала, какой продукт будет использовать Intel 20A.