Уже пару лет топовые смартфоны крупнейших производителей комплектуются процессорами, созданными по 5-нанометровому процессу.
Но похоже, что скоро наш ждет прорыв.
Компания Samsung накануне в рамках мероприятия Samsung Foundry Forum поделилась подробностями о сроках начала массового производства чипов с перспективными транзисторами GAAFET, а также обозначили, когда можно ожидать внедрения 2-нм технологии производства, передает anandtech.
Транзисторы GAAFET (Gate-All-Around или транзисторы с круговым затвором) станут одной из ключевых технологий в полупроводниковом производстве по истечении жизненного цикла актуальных транзисторов 3D FinFET.
С новыми транзисторами можно будет значительно увеличить производительность процессоров и прочих компонентов при сниженном потреблении энергии.
Именно поэтому это важно.
Samsung ещё в 2019 году заявила о создании прототипа чипа на основе 3-нм GAA-транзисторов.
Пару месяцев назад она сообщила о планах запустить массовое производство таких чипов уже в 2022 году.
Теперь компания подтвердила свои намерения и уточнила сроки.
Старший вице-президент Samsung Foundry по стратегии рынка Мун Су Кан (Moon.
Soo Kang) представил следующий график производства компонентов на основе технологии GAAFET:.
производство продукции по технологии 3GAE стартует в конце 2022 года;.
производство продукции по технологии 3GAP начнётся в конце 2023 года;.
подготовка к технологии 2GAP займёт ещё 2 года, массовое производство запланировано на 2025 год.
Он также уточнил, что речь идет о планах по производству компонентов — выход потребительских товаров на рынок будет зависеть от клиентов Samsung и их собственных графиков.
Исходя из этого, имеет смысл добавить один или два квартала (3–6 месяцев), поэтому продукция на основе 2GAP достигнет потребителя в 2026 году.
Дмитрий Смирнов.
Если Вы заметили орфографическую ошибку, выделите её мышью и нажмите Ctrl+Enter.
Напишите нам.
Больше вакансий.
PR-менеджера з зовнішніх та внутрішніх комунікацій.
Група Компаній ЛІГА.
Разместить вакансию.