Samsung Electronics отчиталась о старте пробных поставок микросхем GDDR6 с пропускной способностью 24 Гбит/с на контакт.
Как подчёркивает южнокорейский гигант, это самые быстрые в отрасли чипы GDDR6.
В качестве одной из областей применения новинок указывается следующее поколения графических карт.
При производстве вышеупомянутых микросхем GDDR6 корейцы используют технологию 10-нм класса с применением экстремальной ультрафиолетовой (EUV) литографии.
Для новых чипов характерна ёмкость 16 Гбит (2 ГБ).
Это, к примеру, позволяет оснастить видеоадаптер с 256-разрядной шиной буфером объёмом 16 Гбайт.
Пропускная способность памяти при этом составит 768 Гбайт/с.
Схожими показателями обладает Ge.
Force RTX 3080 10GB, которая сочетает 320-битную шину и GDDR6X.
Данные микросхемы работают при напряжении 1,1 В (против 1,35 В, установленных стандартом GDDR6) и характеризуются скоростью 16 и 20 Гбит/с на контакт.
Другими словами, Samsung готова к релизу следующего поколения как десктопных, так и мобильных 3D-ускорителей.