Samsung работает над микросхемами GDDR7 со скоростью до 36 Гбит/с

В рамках конференции Samsung Tech Day 2022 южнокорейский чипмейкер рассказал об успехах в разработке новых микросхемам памяти.

В его лабораториях кипит работа как над более ёмкими чипами V-NAND и DDR5, так и над высокоскоростными решениями LPDDR5X.

Трудятся инженеры Samsung и над памятью стандарта GDDR7 для будущих поколений видеокарт.

В микросхемах GDDR7 южнокорейский гигант рассчитывает увеличить скорость передачи данных до 36 Гбит/с на контакт.

Благодаря этому, к примеру, пропускная способность буфера у видеокарты с 384-битной шиной вырастет до впечатляющих 1,7 Тбайт/с.

У представленной в сентябре Ge.

Force RTX 4090 данный параметр равен 1 ТБ/с.

К слову, не так давно Samsung начала поставки первых в отрасли чипов GDDR6 со скоростью 24 Гбит/с.

Samsung также подтвердила работу над микросхемами DDR5 плотностью 32 Гбит, что позволит наладить выпуск модулей оперативной памяти вдвое большей ёмкости относительно актуальных решений, где используются 16-гигабитные чипы.

В скором времени будет запущено производство памяти LPDDR5X с эффективной частотой 8500 МГц.

Эти микросхемы можно будет встретить, например, в ноутбуках и топовых смартфонах.