Samsung анонсировала 12-нм микросхемы DDR5 со скоростью 7,2 Гбит/с

Компания Samsung Electronics сообщила о разработке первых в отрасли микросхем DDR5, выпускаемых по технологии 12-нм класса.

Для новых чипов характерна ёмкость 16 Гбит (2 ГБ) и скорость передачи информации 7,2 Гбит/с на контакт.

Вместе с этим южнокорейский чипмейкер отмечает проверку новых продуктов на совместимость с платформами AMD.

«Инновации часто требуют тесного сотрудничества с отраслевыми партнерами, чтобы расширить границы технологий, — рассказывает Джо Макри (Joe Macri), технический директор по вычислительным и графическим технологиям в AMD.

— Мы очень рады вновь работать с Samsung, особенно в части выпуска продуктов памяти DDR5, которые оптимизированы и проверены на платформах Zen».

При выпуске новых микросхем DDR5 используется технология на основе экстремальной ультрафиолетовой (EUV) литографии.

Она позволила существенно нарастить плотность кристаллов, в результате чего с одной кремниевой пластины Samsung получает на 20% больше чипов.

Из других особенностей новой памяти DDR5 компания выделяет на 23% меньшее энергопотребление относительно микросхем прошлого поколения.

Запуск массового производства вышеописанных чипов Samsung DDR5 состоится в 2023 году.