Samsung анонсировала 12-нм микросхемы DDR5 объёмом 32 Гбит

Samsung Electronics сообщила о разработке первых в отрасли 32-гигабитных микросхем DDR5, изготавливаемых по технологии 12-нм класса.

Это позволит создавать модули оперативной памяти ещё большего объёма.

В опубликованном пресс-релизе южнокорейский гигант заявляет, что новые чипы позволят выпускать серверные планки ёмкостью до 1 ТБ.

Появление микросхем DDR5 объёмом 32 Гбит также позволит улучшить энергоэффективность планок ОЗУ.

Например, в случае 16-гигабитных чипов для создания модулей ёмкостью 128 Гбайт приходилось использовать технологию сквозных межкремниевых соединений TSV (through-silicon-via).

Благодаря выпуску 32-гигабитных решений можно будет полностью отказаться от TSV, что уменьшит энергопотребление 128-гигабайтных модулей DDR5 примерно на 10%.

Более подробные характеристики новых микросхем Samsung, вероятно, опубликует ближе к концу этого года, когда они будут готовы к старту массового производства.