Samsung рассказала о быстрой и эффективной памяти GDDR7 и HBM3E

Во время проведения мероприятия Memory Tech Day компания Samsung поделилась новыми сведениями о своих продуктах памяти следующего поколения, включая память GDDR7. Наряду с GDDR7 Samsung анонсировала память Shinebolt HBM3E, которая разрабатывается для будущих систем ИИ и вычислительных GPU.

Помогаем

Память GDDR7 находится в разработке уже некоторое время. Она появится в видеокартах следующего поколения RTX 50-й серии (Blackwell) и RX 8000-й серии (RDNA 4). Samsung не стала делиться всеми подробностями, но заявила, о снижении энергопотребления в режиме ожидания на 50%. Это поможет снизить общее энергопотребление в режиме ожидания. Можно ожидать также снижения энергопотребления для конфигураций из нескольких мониторов и при просмотре видео.

Память GDDR7 должна работать при напряжении питания 1,2 В по сравнению с 1,35 В для GDDR6 и GDDR6X. Общая пропускная способность для 256-битной шины памяти должна достигать 1 ТБ/с, а в случае 384-битной шины этот показатель увеличится еще на 50%.

Ранее Samsung сообщала, что ее память GDDR7 будет использовать сигнализацию PAM3 в отличие от PAM4 в GDDR6X. Хотя PAM4 лучше подходит для более высоких частот, PAM3 проще реализовать, что делает его лучшим вариантом для доступных потребительских видеокарт.

Видеокарты с памятью GDDR7 можно ожидать не ранее чем через год. Скорее всего ее использование будет ограничено устройствами высокого класса. Видеокарты начального уровня следующего поколения, скорее всего, будут использовать GDDR6, по крайней мере, до тех пор, пока производство не масштабируется до нужных объемов. Samsung пока не сообщила о начале массового производства GDDR7.

Samsung также рассказала о своей памяти HBM3E следующего поколения. Память Shinebolt может достигать скорости до 9,8 Гбит/с на контакт, что обеспечит пропускную способность одного стека HBM3E 1225 ГБ/с. Это намного выше, чем 819 Гбит/с, предлагаемые HBM3. Такую память можно объединять и наращивать показатели. В результате флагманский GPU теоретически может комплектоваться до 216 ГБ памяти с пропускной способностью 7,35 ТБ/с.