Samsung відкрила лабораторію у США для розробки 3D-DRAM нового покоління

Південнокорейська компанія Samsung Electronics Co., що є найбільшим у світі виробником мікросхем пам’яті, відкрила дослідницьку лабораторію у США для розробки тривимірної динамічної оперативної пам'яті (DRAM) наступного покоління.

Про це повідомляє Yonhap із посиланням на джерела.

За словами співрозмовників, лабораторія працює під керівництвом компанії Device Solutions America (DSA) зі штаб-квартирою в Силіконовій долині, яка контролює виробництво напівпровідників Samsung у США. Ця компанія також працюватиме над розробкою оновленої моделі DRAM, яка допоможе Samsung стати лідером на світовому ринку мікросхем 3D-пам’яті.

У жовтні південнокорейський технологічний гігант Samsung Electronics Co. заявив, що готує нові 3D-структури для суб-10-нанометрової DRAM, що дозволить збільшити ємність одного чипа до понад 100 гігабіт.

Динамічна оперативна пам'ять (DRAM) — один із видів комп'ютерної пам'яті із довільним доступом, найчастіше використовується як оперативна пам’ять сучасних комп'ютерів. Основна перевага пам'яті цього типу полягає в тому, що її комірки упаковані дуже щільно, тобто в невелику мікросхему можна упакувати багато бітів, а значить, на їх основі можна побудувати пам'ять великої ємності.